Bột cacbua silic có độ tinh khiết cao

Đóng vai trò là vật liệu cốt lõi cho các chất nền đơn tinh thể SiC 6-12 inch và các lớp epiticular, được sử dụng trong sản xuất các thiết bị điện như bộ biến tần truyền động chính cho các phương tiện năng lượng mới, các bộ phận RF của trạm gốc 5G và bộ biến tần quang điện. Đặc tính vùng cấm rộng của nó giúp tăng cường khả năng chống chịu của thiết bị với nhiệt độ và điện áp cao đồng thời giảm mức tiêu thụ năng lượng hơn 30%.

Dùng để sản xuất nồi nấu kim loại bằng gốm SiC và các bộ phận gốm sứ-chống mài mòn. Tận dụng độ cứng cao và độ ổn định nhiệt, nó phù hợp với các ứng dụng như xử lý tấm bán dẫn và các bộ phận cấu trúc nhiệt độ cao-trong ngành hàng không vũ trụ, kéo dài tuổi thọ sử dụng lên hơn 5 lần so với gốm sứ truyền thống.

Đóng vai trò như một chất mài mòn cực cứng để đánh bóng chính xác kính quang học và chất nền sapphire; Được tạo thành lớp phủ dẫn nhiệt cho mô-đun tản nhiệt của thiết bị điện tử, đạt độ dẫn nhiệt cao gấp 2-3 lần so với lớp phủ thông thường.

Được sử dụng để biến đổi vật liệu cực dương của pin lithium{0}}ion và phủ các tấm lưỡng cực của pin nhiên liệu, nâng cao tuổi thọ chu kỳ pin và độ dẫn điện/nhiệt. Thích hợp cho các ứng dụng cao cấp-trong phương tiện sử dụng năng lượng mới và trạm lưu trữ năng lượng.